RF-mikroaaltolevyjen tuotannossa on keskityttävä korkeataajuisten signaalien lähetysominaisuuksiin ja ohjattava ydinlinkkejä, kuten materiaaleja, tarkkuutta ja prosessia koko prosessin ajan, jotta koko kortti ei romuttaisi pienten poikkeamien takia.
Esisuunnittelu ja alustan ohjaus
Alustan tarkastus: Vahvista tiukasti, että saapuvien materiaalien dielektrisyysvakio Dk, dielektrisyyspaksuus ja kuparikalvon paksuus vastaavat täysin suunnitteluvaatimuksia, ja aseta etusijalle matalaprofiilisen käänteisen kuparikalvon käyttö korkeataajuisten ihovaikutusten häviöiden vähentämiseksi.
CAM-prosessin kompensointi: Tehtaamme prosessiominaisuuksien perusteella luomme eksklusiivisia laajenemis- ja supistumiskompensaatiomalleja erilaisille korkeataajuuksisille materiaaleille, varaamme etsauskompensoinnin etukäteen ja varmistamme, että myöhempi viivanleveyden tarkkuus täyttää standardin.
Materiaalin leikkauksen hallinta: Vältä leikkauskoneiden käyttöä pehmeille korkeataajuuksisille materiaaleille, kuten PTFE:lle, ja käytä jyrsintää materiaalin leikkaamiseen, jotta levyn muodonmuutos ei vaikuta sen tasaisuuteen.
Ydintarkkuusprosessiohjaus
Porausprosessi: PTFE-materiaalissa käytetään upouutta 130 asteen yläkulmaporanterää, jonka syöttönopeus on 20 % pienempi. Nokkimisporan useita vaiheita käytetään vähentämään lämmön kertymistä. Porauksen jälkeen reikä puhdistetaan perusteellisesti korkeapaineilmapistoolilla, jotta vältetään langan vetäminen ja reiän seinämän sulaminen.
Reikien metallointikäsittely: PTFE-levyjen on käytettävä plasmaaktivointitekniikkaa reiän seinämän pintaenergian nostamiseksi 18 dyne/cm ² arvoon yli 52 dyne/cm ², mikä varmistaa kuparin tarttuvuuden. Sekapainelevyssä olevan kuparireiän paksuuden on oltava suurempi tai yhtä suuri kuin 25 μm.
Graafinen siirto ja syövytys: LDI-lasersuorakuvaustekniikalla paikannustarkkuutta ohjataan 5 μm:n tasolla, sovitetaan tyhjiöetsausprosessiin, ja sivuetsauksen määrää valvotaan tiukasti sen varmistamiseksi, että viivan leveyden toleranssi on vakaa ± 0,02 mm:n sisällä ja millimetriaaltotuote on kiristetty arvoon ±15 mm ± 0.
Juotosmaskiprosessi: PTFE-levyn mekaaninen hionta ja harjaus on kielletty ennen juotosmaskia. Käytetään happopesua ja esipaistamista 85 asteessa 30 minuuttia ja segmentoitua leivontaa käytetään vihreän öljyn jähmettämiseen välttäen ongelmia, kuten vihreän öljyn vaahtoamista ja vähäisen pintaenergian aiheuttamaa riittämätöntä tarttumista.
Erityinen RF-suorituskyvyn ohjaus
Impedanssin säätö: Pinosimuloinnin ja syövytyksen kompensoinnin avulla ominaisimpedanssin toleranssia säädetään vakaasti ± 5 %:n sisällä ja RF-avainkerroksen impedanssipoikkeamaa on kiristettävä edelleen.
Maataso ja läpivienti: Satunnainen urittaminen on kielletty RF-reitityksen vertailumaatasolle. Maadoitusreiät on sovitettu signaalin kytkentäkerroksen ympärille reikien kautta. Korkeataajuuslevy käyttää takaporaustekniikkaa jäännösreikien poistamiseen ja suurtaajuisen resonanssin vaimentamiseen.
Pintakäsittelyn valinta: Etusija tulee käyttää nikkelipinnoituskulta- ja hopea-upotusprosesseja tasaisen ja tasaisen pinnoitteen varmistamiseksi. Tinan ruiskutusprosessit eivät sovellu korkean suorituskyvyn RF-levyille huonon pinnan tasaisuuden vuoksi.
Jälkikäsittely ja valmiin tuotteen tarkastus
Ulkonäön käsittely: Kun käytetään erityistä Gong-veistä, jyrsintänopeus on 20 % hitaampi kuin FR-4. Käsittelyn aikana FR-4-substraattia käytetään levyn kiinnittämiseen ylös ja alas, ja takapurseet leikataan manuaalisesti estämään pehmeän PTFE-levyn naarmuuntuminen ja muodonmuutos.
Valmiin tuotteen testaus: Rutiininomaisen päälle/pois-testauksen lisäksi vektoriverkkoanalysaattoria on käytettävä S-parametrien, kuten lisäyshäviön, paluuhäviön ja kanavaeristyksen, havaitsemiseen. Näytteenotto tulisi suorittaa korkean ja matalan lämpötilan syklien luotettavuuden varmistamiseksi ja piilossa olevien viallisten tuotteiden poistamiseksi.